-
1 градиент концентрации электронов
nmicroel. ElektronendichtegefälleУниверсальный русско-немецкий словарь > градиент концентрации электронов
-
2 профиль концентрации электронов
nelectr. Elektronendichteprofil (в ионосфере)Универсальный русско-немецкий словарь > профиль концентрации электронов
-
3 увеличение концентрации электронов за счёт ионизации газа
nУниверсальный русско-немецкий словарь > увеличение концентрации электронов за счёт ионизации газа
-
4 градиент концентрации электронов
Russian-german polytechnic dictionary > градиент концентрации электронов
-
5 плотность
плотность ж. Densität f; физ. Dichte f; Dichtheit f; Dichtigkeit f; Gedrungenheit f; Geschlossenheit f; Innigkeit f; кож. Kernigkeit f; Kompaktheit f; Konsistenz f; мет. Porenfreiheit f; Stärke f; Undurchlässigkeit f; Volumeneinheitsgewicht n; spezifische Masse fплотность ж. автомобилей, приходящихся на 1 квадратный километр м. Fahrzeugdichte f -
6 амбиполярная диффузия
adj1) electr. ambipolare Diffusion2) microel. ambipolare Diffusion (при равной концентрации электронов и дырок), bipolare DiffusionУниверсальный русско-немецкий словарь > амбиполярная диффузия
-
7 совместная диффузия
См. также в других словарях:
Подвижность ионов и электронов — 1) в газе и низкотемпературной плазме (См. Плазма) отношение средней скорости u направленного (в результате действия электрического поля) движения электронов или ионов к напряжённости электрического поля (См. Напряжённость электрического… … Большая советская энциклопедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
МУ 2.6.1.2117-06: Гигиенические требования к размещению и эксплуатации ускорителей электронов с энергией до 100 МэВ — Терминология МУ 2.6.1.2117 06: Гигиенические требования к размещению и эксплуатации ускорителей электронов с энергией до 100 МэВ: Запретный период минимальное время между окончанием облучения и разрешением на вход в рабочую камеру, необходимое… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ПОДВИЖНОСТЬ ИОНОВ И ЭЛЕКТРОНОВ — 1) в газе и н и з к о т е м п е р а т у р н о й плазме отношение ср. скорости v направленного движения эл нов или ионов (в результате действия электрич. поля) к напряжённости этого поля Е: m=v/E. Зависимость v от Е в принципе даётся решением… … Физическая энциклопедия
Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… … Большая советская энциклопедия
Полупроводники — широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
ПЛАЗМА ТВЁРДЫХ ТЕЛ — условный термин, означающий совокупность подвижных заряженных ч ц в тв. проводниках (эл нов проводимости в металлах или эл нов и дырок в полупроводниках) в таких условиях, когда их св ва близки к св вам газоразрядной плазмы. Это позволяет… … Физическая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКИ — в ва, характеризующиеся увеличением электрич. проводимости с ростом т ры. Хотя часто П. определяют как в ва с уд. электрич. проводимостью а, промежуточной между ее значениями для металлов (s ! 106 104 Ом 1 см 1) и для хороших диэлектриков (s ! 10 … Химическая энциклопедия
ХАББАРДА МОДЕЛЬ — одна из фундам. моделей для описания систем сильно взаимодействующих электронов в кристалле. Модель была предложена в 1963 65 Дж. Хаббардом [1 ] и получила широкое развитие в последующие годы. X. м. является осн. моделью для описания зонного… … Физическая энциклопедия